欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (3): 443-449.

• • 上一篇    下一篇

反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能

祝柏林;李昆鹏;谢挺;吴隽   

  1. 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081
  • 出版日期:2019-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    材料成型与模具技术国家重点实验室开放基金(P2014-06)

Structure and Transparent Conductive Properties of AZO Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

ZHU Bai-lin;LI Kun-peng;XIE Ting;WU Jun   

  • Online:2019-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降.薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势.当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子.当Ts从150℃ 增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高.另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定.与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大.

关键词: 复合靶材;反应溅射;AZO薄膜;透明导电性;禁带宽度;品质因子

中图分类号: