不同基底对电沉积制备ZnO纳米棒薄膜 光电转换性能的影响

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (3): 450-456.

不同基底对电沉积制备ZnO纳米棒薄膜光电转换性能的影响

穆晓彪;卢辉;马金福;杨少林;彭古玥;李林;樊辉;宁晓杰

北方民族大学材料科学与工程学院,粉体材料与特种陶瓷重点实验室,银川 750021

出版日期:2019-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61751402);宁夏自然科学基金(NZ16088);粉体材料与特种陶瓷重点实验室项目(1802);北方民族大学中央高校基本科研业务费专项资金(2018XYZCL02);北方民族大学国家级大学生创新训练计划(201711407027)

Effects of Different Substrates on Photoelectric Conversion Properties of ZnO Nanorods Thin Film Prepared by Electrodeposition

MU Xiao-biao;LU Hui;MA Jin-fu;YANG Shao-lin;PENG Gu-yue;LI Lin;FAN Hui;NING Xiao-jie

Online:2019-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 选取不同的导电支撑物(FTO、ITO、不锈钢网、Ni网)作为基底,在其表面采用相同的电沉积参数制备得到ZnO纳米棒薄膜,详细探讨了不同基底物理化学性质对ZnO基光阳极形貌及光电性能的影响.研究表明:以ZnCl2与O2为前驱体,分别在未做预处理的空白FTO、ITO、Ni网、不锈钢网上施加-1.0 V的沉积电位,反应3600 s后均可得到棒状结构的ZnO纳米薄膜,但纳米棒的直径、密度以及结晶性相差较大.经紫外漫反射测试发现,虽然各基底上ZnO纳米薄膜对太阳光的响应范围相一致,但玻璃基底相较于柔性金属网基底具有较小的禁带宽度,电子跃迁所需能量较小.此外,I-V测试结果表明基于玻璃基底的ZnO基DSSC相较于柔性金属丝网基光阳极具有较大的光电转化效率,最高可达0.38;.

中图分类号:

TN304

穆晓彪;卢辉;马金福;杨少林;彭古玥;李林;樊辉;宁晓杰. 不同基底对电沉积制备ZnO纳米棒薄膜光电转换性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(3): 450-456.

MU Xiao-biao;LU Hui;MA Jin-fu;YANG Shao-lin;PENG Gu-yue;LI Lin;FAN Hui;NING Xiao-jie. Effects of Different Substrates on Photoelectric Conversion Properties of ZnO Nanorods Thin Film Prepared by Electrodeposition[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(3): 450-456.

[1]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[2]	姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义. 氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2038-2045.
[3]	冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.
[4]	程红娟;金雷;武红磊;齐海涛;王增华;史月曾;张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205.
[5]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[6]	胡德巍;唐安江;唐石云;韦德举;田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751.
[7]	刘欢;朱如忠;龚建超;王琦琨;付丹扬;雷丹;黄嘉丽;吴亮. 高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1541-1547.
[8]	周浩;徐俞;曹冰;徐科;王钦华. 石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 794-798.
[9]	刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575.
[10]	靳果;朱清智. p型G aSb窗口层在热光伏电池中的应用研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 638-645.
[11]	兰天平;边义午;周春锋;宋禹. VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 412-416.
[12]	何海英;冯秋浴;陈宇;杨至灏. Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 234-238.
[13]	王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽. 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2174-2178.
[14]	贺广东;王琦琨;雷丹;龚建超;黄嘉丽;付丹扬;吴亮. 物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1604-1607.
[15]	牛楠楠;左然. AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1268-1274.