Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (3): 457-460.

Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究

阳兴见;欧汉文

重庆市经贸中等专业学校,永川,402160;重庆文理学院电子电气工程学院,永川,402160

出版日期:2019-03-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Ni and Co Doped on Electronic Structure of ZnTe

YANG Xing-jian;OU Han-wen

Online:2019-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了Ni、Co单掺杂ZnTe以及Ni-Co共掺杂ZnTe晶体材料的稳定性、磁性性质、能带结构、态密度.结果发现:由杂质替换能分析得到Co掺杂体系的稳定性最强;掺杂都使ZnTe晶体体系产生磁性,磁性的主要起源主要是Co、Ni与Te原子d轨之间的相互耦合;Co、Ni、Co-Ni共掺杂ZnTe晶体体系的禁带中都出现杂质能级,使ZnTe晶体体系的导电能力增强;Co、Ni掺杂以及Co-Ni共掺杂ZnTe结构的态密度总体向低能区移动.

中图分类号:

O562

阳兴见;欧汉文. Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(3): 457-460.

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Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究

Effect of Ni and Co Doped on Electronic Structure of ZnTe

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