人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (4): 567-571.
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熊智慧;肖飞;杨辉;张敏;曾体贤
出版日期:
2019-04-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
XIONG Zhi-hui;XIAO Fei;YANG Hui;ZHANG Min;ZENG Ti-xian
Online:
2019-04-15
Published:
2021-01-20
摘要: 硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体.采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征.结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显.
中图分类号:
熊智慧;肖飞;杨辉;张敏;曾体贤. CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(4): 567-571.
XIONG Zhi-hui;XIAO Fei;YANG Hui;ZHANG Min;ZENG Ti-xian. Photosensitive Properties of Nanocrystalline CdSe Thin Film[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(4): 567-571.
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