人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (4): 587-591.
蔡序敏;祁英昆;赵元安;胡国行;李国辉;胡子钰;郑国宗
CAI Xu-min;QI Ying-kun;ZHAO Yuan-an;HU Guo-hang;LI Guo-hui;HU Zi-yu;ZHENG Guo-zong
摘要: 在ICF工程中II类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为II类三倍频晶体是很有必要的.采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照II类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70%DKDP晶体进行对比.实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1.8倍,而在881.7 cm-1,35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小.
中图分类号: