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人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (4): 633-640.

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Cu过量对Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响

赵学平;张铭;白朴存;侯小虎;刘飞;严辉   

  1. 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,呼和浩特,010051;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100124
  • 出版日期:2019-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11762014);内蒙古工业大学科学研究项目(ZY201808)

Effect of Cu-Excess on the Structural and Optoelectronic Properties of Cu1 +xAl1-xO2(0≤x≤0.04) Thin Films

ZHAO Xue-ping;ZHANG Ming;BAI Pu-cun;HOU Xiao-hu;LIU Fei;YAN Hui   

  • Online:2019-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 以单相多晶Cu1+x Al1-x O2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+x Al1-x O2薄膜的结构与光电性能.结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+x Al1-x O2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55;,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04 Al0.96 O2的室温电导率最高,为1.22×10-2 S/cm;在近室温区(200~300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式.

关键词: CuAlO2薄膜;射频磁控溅射;光电性能

中图分类号: