新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (8): 1386-1394.

新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

孟猛;祁强;丁栋舟;赫崇君;施俊杰;任国浩

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;南京航空航天大学航天学院,南京 211106;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;中国科学院海西创新研究院,福州 350002;南京航空航天大学航天学院,南京,211106

出版日期:2019-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院关键技术人才项目(Y74YQ3130G);中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目(Y74ZC5152G);海西研究院自主部署项目(FJCXY18040202)

Research Progress on Novel Scintillation Crystal Gd3 ( Al,Ga) 5 O12:Ce3+

MENG Meng;QI Qiang;DING Dong-zhou;HE Chong-jun;SHI Jun-jie;REN Guo-hao

Online:2019-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点.本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向.

中图分类号:

O734

孟猛;祁强;丁栋舟;赫崇君;施俊杰;任国浩. 新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1386-1394.

MENG Meng;QI Qiang;DING Dong-zhou;HE Chong-jun;SHI Jun-jie;REN Guo-hao. Research Progress on Novel Scintillation Crystal Gd3 ( Al,Ga) 5 O12:Ce3+[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(8): 1386-1394.

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