氮化镓单晶生长研究进展

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (9): 1588-1598.

氮化镓单晶生长研究进展

任国强;王建峰;刘宗亮;蔡德敏;苏旭军;徐科

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;苏州纳维科技有限公司,苏州,215002;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;苏州纳维科技有限公司,苏州215002

出版日期:2019-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61574162,61604169);国家重点研发计划项目(2017YFB0404100)

Research Progress on GaN Single Crystal Growth

REN Guo-qiang;WANG Jian-feng;LIU Zong-liang;CAI De-min;SU Xu-jun;XU Ke

Online:2019-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望.

关键词: 氮化镓单晶, 氢化物气相外延, 氨热法, 助熔剂法

中图分类号:

任国强, 王建峰, 刘宗亮, 蔡德敏, 苏旭军, 徐科. 氮化镓单晶生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1588-1598.

REN Guo-qiang, WANG Jian-feng, LIU Zong-liang, CAI De-min, SU Xu-jun, XU Ke. Research Progress on GaN Single Crystal Growth[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(9): 1588-1598.

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