化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (1): 152-157.

化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

魏乃光;蒋立朋;李冬旭;杨海;袁琴;郭立;田智瑞;宋姿霖;刘晓华;黎建明;张鹏飞

有研科技集团,有研国晶辉新材料有限公司,三河065201

出版日期:2020-01-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Defects of ZnSe Polycrystalline Materials Prepared by Chemical Vapor Deposition Method

WEI Naiguang;JIANG Lipeng;LI Dongxu;YANG Hai;YUAN Qin;GUO Li;TIAN Zhirui;SONG Zilin;LIU Xiaohua;LI Jianming;ZHANG Pengfei

Online:2020-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景,系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷,包括云雾、孔洞和微裂纹、夹杂、分层和胞状物.采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征.结合国内外文献和检测结果,对各类缺陷可能的产生机理及抑制方法进行了阐述与分析.

中图分类号:

TN213

魏乃光;蒋立朋;李冬旭;杨海;袁琴;郭立;田智瑞;宋姿霖;刘晓华;黎建明;张鹏飞. 化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 152-157.

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