AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2046-2067.

所属专题：宽禁带半导体晶体与器件

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽;黎大兵;吕威

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;长春工业大学,长春 130012

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家杰出青年科学基金)%(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金面上项目)%苏州纳米所开放课题%(发光学及应用国家重点实验室开放课题)

AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices

BEN Jianwei;SUN Xiaojuan;JIANG Ke;CHEN Yang;SHI Zhiming;ZANG Hang;ZHANG Shanli;LI Dabing;LYU Wei

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.

中图分类号:

O47
TN36

贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽;黎大兵;吕威. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2046-2067.

BEN Jianwei;SUN Xiaojuan;JIANG Ke;CHEN Yang;SHI Zhiming;ZANG Hang;ZHANG Shanli;LI Dabing;LYU Wei. AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2046-2067.

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