人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2128-2138.
所属专题： 宽禁带半导体晶体与器件
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冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞
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FENG Gan;SUN Yongqiang;QIAN Weining;CHEN Zhixia
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摘要： 4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展.同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状.
关键词: 4H-SiC, 宽禁带半导体, 外延生长, 化学气相沉积
中图分类号:
TN304
TQ163
冯淦, 孙永强, 钱卫宁, 陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.
FENG Gan, SUN Yongqiang, QIAN Weining, CHEN Zhixia. Progress in Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Semiconductor[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2128-2138.
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