硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2178-2193.

硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究

袁紫媛;潘睿;夏顺吉;魏炼;叶佳佳;李晨;陈延峰;芦红

南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093%南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093;江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京 210023

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家重点研发项目)%(国家自然科学基金重点项目)

Epitaxial Growth and Characterizations of Si1－xGex Alloys on Si Substrate

YUAN Ziyuan;PAN Rui;XIA Shunji;WEI Lian;YE Jiajia;LI Chen;CHEN Yanfeng;LU Hong

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0

关键词: 分子束外延, Si1-xGex合金, 硅基锗, Ge量子点, 异质外延, 界面调控

中图分类号:

TN34

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