Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 234-238.

Mg-N阴阳离子共掺杂SnO₂的第一性原理研究

何海英;冯秋浴;陈宇;杨至灏

佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院, 佛山 528000;广东省柔性电子材料和印刷电子技术工程研究中心,佛山 528000;佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院,佛山,528000

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11747090)

First-principles Study on Mg-N Cation-anion Co-doped SnO₂

HE Haiying;FENG Qiuyu;CHEN Yu;YANG Zhihao

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO₂的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能.Mg、N分别取代SnO₂晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at;、2.08at;,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂.Mg单受主掺杂SnO₂时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO₂时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型.

关键词: SnO2, Mg-N共掺杂, 第一性原理, 电子结构

中图分类号:

TN304

何海英, 冯秋浴, 陈宇, 杨至灏. Mg-N阴阳离子共掺杂SnO₂的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 234-238.

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First-principles Study on Mg-N Cation-anion Co-doped SnO₂

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