大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (8): 1491-1493.

大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备

袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬

中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999

出版日期:2020-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005)

Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices

YUAN Zerui;DOU Yunwei;CHEN Ying;FANG Pan;YIN Wenlong;KANG Bin

Online:2020-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5 ～1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm ×50 mm) ZGP晶体器件制备,器件在2.09 μm的吸收系数仅为0.03 cm-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出.

中图分类号:

O782+.9

袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.

YUAN Zerui;DOU Yunwei;CHEN Ying;FANG Pan;YIN Wenlong;KANG Bin. Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(8): 1491-1493.

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