欢迎访问《人工晶体学报》官方网站，今天是
分享到：
人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (1): 94-99.
王渠东;于文江;金俊泽
E-mail Alert
RSS出版日期:1998-01-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:Wang Qudong;Yung Wenjiang;Jin Junze
Online:1998-01-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法--离心倾液法.用该方法获得了过共晶Al-Si合金初晶的Si的生长形貌,发现了初晶Si存在位错台阶生长机制,并且,借助该生长机制成功地解释了初晶Si的分枝和初晶Si包裹共晶组织的形成机理.此外,观察到了共晶体包裹初晶Si生长的过程.
中图分类号:
王渠东;于文江;金俊泽. 离心倾液法与初晶Si的生长[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(1): 94-99.
Wang Qudong;Yung Wenjiang;Jin Junze. Decantation during Centrifugal Casting and the Growth of Primarg Silicon[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(1): 94-99.
| [1] | 周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255. |
| [2] | 段欢, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Ba2YAlO5∶Eu3+, Na+荧光粉的合成和光致发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2302-2307. |
| [3] | 张汉宏, 叶帅, 张帆. 钙钛矿单晶的合成研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2389-2397. |
| [4] | 张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983. |
| [5] | 李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1996-2012. |
| [6] | 蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓. 氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2013-2023. |
| [7] | 任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037. |
| [8] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
| [9] | 吴峰;戴江南;陈长清. AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2079-2097. |
| [10] | 刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2098-2121. |
| [11] | 柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127. |
| [12] | 王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152. |
| [13] | 白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160. |
| [14] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
| [15] | 李一村;舒国阳;刘刚;郝晓斌;赵继文;张森;刘康;曹文鑫;代兵;杨磊;朱嘉琦;曹康丽;韩杰才. MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1765-1769. |
| 阅读次数 | ||||||
|
全文 |
|
|||||
|
摘要 |
|
|||||
