CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 841-844.

CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

薛玉明;孙云;李凤岩;朴英美;刘维一;周志强;李长健

南开大学光电子所,天津,300071

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20

Research on the Structure of the Heterojunction of the CIGS Thin Film Solar Cells

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

中图分类号:

TM914.4

薛玉明;孙云;李凤岩;朴英美;刘维一;周志强;李长健. CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 841-844.

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