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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 845-847.

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新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

李果华;孙艳宁;Woodall J M;严辉;Freeouf J L   

  1. 北京工业大学量子材料实验室,北京,100022;江南大学理学院,无锡214063;耶鲁大学电子工程系,New Haven,CT 06520,USA;北京工业大学量子材料实验室,北京,100022;奥尔良卫生与科学大学电子及计算机工程系,Beaverton,OR 97006,USA
  • 出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20

Spectral Response of a Novel Design of InP Single Crystal Thin Film Solar Cells

  • Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50;的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.

关键词: 磷化铟薄膜太阳电池;漂移机制;光谱响应

中图分类号: