AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 52-55.

AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

万书权;朱世富;赵北君;黄毅;朱伟林;徐承福;何知宇;陈宝军;赵国栋

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
高等学校博士学科点专项科研项目(20040610024)

Study on Annealing of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal

WAN Shu-quan;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;HUANG Yi;ZHU Wei-lin;XU Cheng-fu;HE Zhi-yu;CHEN Bao-jun;ZHAO Guo-dong

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217;.采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理.退火处理后晶体的红外透过率有明显改善.在4000cm-1～7000cm-1范围内红外透过率由原先低于25;改进到高于40;;在750cm-1～4000cm-1范围的红外透过率由原先低于45;改善到超过50;,在2000cm-1 ～750cm-1区域甚至高达60;.结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备.

中图分类号:

万书权;朱世富;赵北君;黄毅;朱伟林;徐承福;何知宇;陈宝军;赵国栋. AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 52-55.

WAN Shu-quan;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;HUANG Yi;ZHU Wei-lin;XU Cheng-fu;HE Zhi-yu;CHEN Bao-jun;ZHAO Guo-dong. Study on Annealing of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 52-55.

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