硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1141-1144.

硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究

张萍;王焕英;刘占荣;刘树彬;次立杰;武戈;张星辰

石家庄学院化工学院,石家庄,050035;衡水学院应用化学系,衡水,053000

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省科学技术研究与发展计划(05212701D)

Characterization and Mechanism of SiO2·ZrSiO4 Coated BiVO4 Crystal

ZHANG Ping;WANG Huan-ying;LIU Zhan-rong;LIU Shu-bin;CI Li-jie;WU Ge;ZHANG Xing-chen

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用正硅酸乙酯(TEOS)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)的水解反应并经高温煅烧后,在BiVO4晶体表面形成SiO2·ZrSiO4膜,以提高BiVO4的耐高温性.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、差热分析仪对产品进行了表征,并得出结论:包覆SiO2·ZrSiO4膜后的BiVO4晶体,其耐热温度由680℃提高到1000℃,并对包覆机理进行了探讨.

中图分类号:

张萍;王焕英;刘占荣;刘树彬;次立杰;武戈;张星辰. 硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1141-1144.

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