光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1195-1198.

光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏;罗鹏辉;陈兰莉;郭新峰;卢景霄

南阳理工学院,南阳,473004;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;南阳理工学院,南阳,473004;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20

Quantum States in Fabricating Poly-Si Thin Film by Rapid Thermal Annealing

JIN Rui-min;LUO Peng-hui;CHEN Lan-li;GUO Xin-feng;LU Jing-xiao

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

关键词: PECVD法;非晶硅薄膜;光退火;量子态;晶粒大小

Abstract: Amorphous silicon films prepared by PECVD on glass substrate has been crystallized by rapidthermal annealing (RTA), from X-ray diffraction (XRD), micro-Raman scattering and scanningelectronic microscope (SEM), the quantum states in these processions is found and discussed. Anaverage grain size of 30 nm or so is obtained.

Key words: Amorphous silicon films prepared by PECVD on glass substrate has been crystallized by rapidthermal annealing (RTA), from X-ray diffraction (XRD), micro-Raman scattering and scanningelectronic microscope (SEM), the quantum states in these processions is found and discussed. Anaverage grain size of 30 nm or so is obtained.

中图分类号:

O484

靳瑞敏;罗鹏辉;陈兰莉;郭新峰;卢景霄. 光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1195-1198.

JIN Rui-min;LUO Peng-hui;CHEN Lan-li;GUO Xin-feng;LU Jing-xiao. Quantum States in Fabricating Poly-Si Thin Film by Rapid Thermal Annealing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1195-1198.

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