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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 576-580.

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多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究

刘芳芳;孙云;张力;李长健;乔在祥;何青;王赫   

  1. 南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
  • 出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA513020)

Study on Performance of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells under Different Irradiance

LIU Fang-fang;SUN Yun;ZHANG Li;Li Chang-jian;QIAO Zai-xiang;HE Qing;WANG He   

  • Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10~100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7;)比低Ga含量(6.9;)的电池弱光特性好.

关键词: CIGS薄膜;太阳电池;光强特性;弱光特性

中图分类号: