GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 581-584.

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究

马淑芳;梁建;赵君芙;孙晓霞;许并社

太原理工大学材料科学与工程学院,新材料界面与工程教育部重点实验室,太原,030024

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山西省自然科学基金(2007011066);山西省留学回国人员科研启动基金(2008-37)

Study on the Growth and Optical Property of Polycrystal GaAs/Ga2O3 Compound Film

MA Shu-fang;LIANG Jian;ZHAO Jun-fu;SUN Xiao-xia;XU Bing-she

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800 ℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜.以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关.

中图分类号:

O484

马淑芳;梁建;赵君芙;孙晓霞;许并社. GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 581-584.

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