用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 705-709.

用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶

晏春愉;高斐;张佳雯;方晓玲;刘伟;孙杰;权乃承

陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20

Preparation of Multilayered Ge Nanocrystals by Magnetron Sputtering and Annealing Method

YAN Chun-yu;GAO Fei;ZHANG Jia-wen;FANG Xiao-ling;LIU Wei;SUN Jie;QUAN Nai-cheng

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2 + GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶.X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成.Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动.X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中.透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好.实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性.

中图分类号:

TN304.055

晏春愉;高斐;张佳雯;方晓玲;刘伟;孙杰;权乃承. 用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 705-709.

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