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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 21-24.

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低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

俞鹏飞;介万奇   

  1. 西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072
  • 出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50872111)

Upgradation of Low Resistance In-doped CdZnTe Crystal by Annealing

  • Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12;提高到59;,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.

关键词: CdZnTe晶体;退火;红外透过率;PL谱

中图分类号: