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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 25-28.

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AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

王振友;吴海信;倪友保;毛明生;黄飞;陈林   

  1. 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
  • 出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Properties of AgGaGeS_4 Crystals

  • Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5~9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7~7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.

关键词: AgGaGeS_4晶体;布里奇曼法;倍频;损伤阈值

中图分类号: