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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 135-138.
王宽冒;张沧生;李曼;周阳;王玉强;王侠;彭英才;刘保亭
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RSS出版日期:2010-02-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2010-02-15
Published:2021-01-20
摘要： 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.
中图分类号:
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