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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 139-143.

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沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响

缪存星;赵占霞;栗敏;徐飞;马忠权   

  1. 上海大学理学院物理系,上海大学-索朗光伏材料实验室,上海,200444
  • 出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    上海市教育委员会科研创新项目(09YZ23)

Effects of Deposition Pressure on the Properties of Sc-doped ZnO Thin Films

  • Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2;)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85;,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.

关键词: 射频磁控溅射;SZO薄膜;溅射压强;透明导电氧化物

中图分类号: