直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 279-283.

直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究

李彬;闫占奇;李浩;韩晓泉;吕反修;陈广超;李宏

北京科技大学冶金与生态学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;中国科学院研究生院材料科学与光电技术学院,北京100049

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50872009;50472095);北京市自然科学基金(2062015)

Growth of Diamond Single Crystal by DC Arcjet Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

LI Bin;YAN Zhan-qi;LI Hao;HAN Xiao-quan;LV Fan-xiu;CHEN Guang-chao;LI Hong

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置.在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm3.采用劳厄背反射X射线衍射测试技术和拉曼谱技术,对所制备的样品进行了测试,结果表明:所制备的颗粒为金刚石单晶.对于大尺寸衬底,研究了背向运动速度对沉积晶体的形貌和质量的影响,发现了ATG型不稳定形貌.

中图分类号:

李彬;闫占奇;李浩;韩晓泉;吕反修;陈广超;李宏. 直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 279-283.

LI Bin;YAN Zhan-qi;LI Hao;HAN Xiao-quan;LV Fan-xiu;CHEN Guang-chao;LI Hong. Growth of Diamond Single Crystal by DC Arcjet Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 279-283.

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