离子束刻蚀处理CLBO晶体抛光表面的研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 102-106.

离子束刻蚀处理CLBO晶体抛光表面的研究

袁欣;沈德忠;王晓青;沈光球

清华大学化学系,北京,100084;清华大学化学系,北京,100084;人工晶体研究院,北京,100018

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50132010)

Study on the Effects of Ion Beam Etching on Polished Surface of CLBO Crystal

YUAN Xin;SHEN De-zhong;WANG Xiao-qing;SHEN Guang-qiu

Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了在不同作用时间、不同工件转速、不同入射角度等条件下离子束对CLBO晶体抛光表面的处理效果.用原子力显微镜来观察和比较了CLBO晶体抛光表面处理前后的形貌和粗糙度.试验结果显示,离子束刻蚀的时间并非越长越好;较大的工件转速使晶体表面粗糙度变大;当离子束入射角度在30～60°之间时,处理后晶体表面粗糙度均变小,90°入射时,粗糙度明显增大.试验证明,离子束处理对晶体抛光表面粗糙度Rz值影响较之Ra值更大.

中图分类号:

O786

袁欣;沈德忠;王晓青;沈光球. 离子束刻蚀处理CLBO晶体抛光表面的研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 102-106.

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