退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 107-111.

退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响

苏凤莲;彭观良;邹军;宋词;杭寅;徐军;周圣明

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20

Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film

SU Feng-lian;PENG Guan-liang;ZOU Jun;SONG Ci;HANG Yin;XU Jun;ZHOU Sheng-ming

Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.

中图分类号:

O734

苏凤莲;彭观良;邹军;宋词;杭寅;徐军;周圣明. 退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 107-111.

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