红外非线性晶体材料AgGa1-xInxSe2的生长和性能表征

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 408-411.

红外非线性晶体材料AgGa1-xInxSe2的生长和性能表征

吴海信;张维;石奇;毛明生;程干超;杨琳

中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Characterization of IR Nonlinear AgGa1-xInxSe2 Crystals

WU Hai-xin;ZHANG Wei;SHI Qi;MAO Ming-sheng;CHENG Gan-chao;YANG Lin

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配.我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了φ35mm×50mm的AgGa1-xInxSe2单晶棒.对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试.晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好.用一台TEA CO2激光泵浦一块5×6×16mm3的AgGa1-xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光.

中图分类号:

O782.6

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