r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 653-656.

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

彭观良;周国清;庄漪;邹军;王银珍;李抒智;杨卫桥;周圣明;徐军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20

Defect Study of r-plane Sapphire Single Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

PENG Guan-liang;ZHOU Guo-qing;Zhuang Yi;ZOU Jun;WANG Yin-zhen;LI Shu-zhi;YANG Wei-qiao;ZHOU Sheng-ming;XU Jun

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.

中图分类号:

O771

彭观良;周国清;庄漪;邹军;王银珍;李抒智;杨卫桥;周圣明;徐军. r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 653-656.

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