非极性GaN薄膜及其衬底材料

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 765-771.

非极性GaN薄膜及其衬底材料

周健华;周圣明;邹军;黄涛华;徐军;谢自力;韩平;张荣

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学物理系,南京,210093

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院"百人计划";国家高技术研究发展计划(863计划)(2004AA311080)

Nonpolar GaN Films and Their Substrate

ZHOU Jian-hua;ZHOU Sheng-ming;ZOU Jun;HUANG Tao-hua;XUN Jun;XIE Zi-li;HAN Ping;ZHANG Rong

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.

中图分类号:

O484

周健华;周圣明;邹军;黄涛华;徐军;谢自力;韩平;张荣. 非极性GaN薄膜及其衬底材料[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 765-771.

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