低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 772-776.

低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

冯玉春;刘晓峰;王文欣;彭冬生;郭宝平

深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
广东省关键领域重点突破项目(ZB2003A07);广东省深圳市科技计划(200515)

Reduction of Cracks in GaN Film Grown on Si(111) by Low-temperature AlN Interlayer

FENG Yu-chun;LIU Xiao-feng;WANG Wen-xin;PENG Dong-sheng;GUO Bao-ping

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-AlN生长温度.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析.试验和测试结果表明低温AlN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-AlN插入层的生长温度为680℃左右.

中图分类号:

O484

冯玉春;刘晓峰;王文欣;彭冬生;郭宝平. 低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 772-776.

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