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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 927-930.

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P型微晶硅薄膜材料性能的研究

蔡宏琨;张德贤;冯凯;齐龙茵;王雅欣;孙云   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
  • 出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA715081);国家重点基础研究发展计划(973计划)(ZM200202A01)

Study on the Properties of P-type Microcrystalline Silicon Thin Films

CAI Hong-kun;ZHANG De-xian;FENG Kai;QI Long-yin;WANG Ya-xin;SUN Yun   

  • Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0;时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5;时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.

关键词: 太阳电池;微晶硅;非晶硅

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