高压与掺杂对KDP晶体能带结构的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (4): 587-592.

高压与掺杂对KDP晶体能带结构的影响

周广刚;卢贵武;吴冲;张鹏;王双喜;邱贝贝

中国石油大学(北京)理学院重质油国家重点实验室,北京,102249

出版日期:2013-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11175257);中国石油大学(北京)基本科研基金

Influence of High-pressure and Doping on the Band Structure of KDP Crystal

ZHOU Guang-gang;LU Gui-wu;WU Chong;ZHANG Peng;WANG Shuang-xi;QIU Bei-bei

Online:2013-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 构建了高压条件下KDP晶体的原子结构模型和掺杂有Li+、Na+、Rb+、Cs+、Be2、Mg2+、Ca2+、Cr3+、Co2+、Cu2+、Al3+、La3+等12种阳离子的KDP晶体超级原胞结构模型,采用第一性原理计算了高压下的KDP晶体的能带结构和态密度,研究了替位式掺杂的形成能以及不同掺杂离子对电子结构的影响.结果表明:KDP晶体的带隙宽度随着压强的增加呈线性增长趋势；Co2+、Cu2+、La3+等重金属离子具有较低的掺杂形成能而易于形成替位式掺杂；碱金属离子掺杂后其带隙比二价离子和三价离子替位掺杂情形大得多,且随原子序数增大而增大.文章还依据能带理论构建了材料的电导率和热导率与带隙的关联式,分析讨论了高压和掺杂对KDP晶体热导率和激光损伤的影响.

中图分类号:

周广刚;卢贵武;吴冲;张鹏;王双喜;邱贝贝. 高压与掺杂对KDP晶体能带结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 587-592.

ZHOU Guang-gang;LU Gui-wu;WU Chong;ZHANG Peng;WANG Shuang-xi;QIU Bei-bei. Influence of High-pressure and Doping on the Band Structure of KDP Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(4): 587-592.

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