温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 875-879.

温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

于杰;王茺;杨洲;胡伟达;杨宇

云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10990103,11274266);教育部科学技术研究重点(210207);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)

Effects of Temperature on Electrical Characteristics of Strained SiGe Channel-on-Insulator p-MOSFET

YU Jie;WANG Chong;YANG Zhou;HU Wei-da;YANG Yu

Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.

中图分类号:

TN386.1

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