氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2525-2531.

氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响

李天微;张建军;曹宇;倪牮;黄振华;赵颖

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息科学技术教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071

出版日期:2013-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家自然科学基金(61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金资助;天津市重大科技支撑计划项目(11TXSYGX22100)

Influence of Helium and Hydrogen Mixture Dilution on the Structural Properties of Microcrystalline Silicon-germanium Films

LI Tian-wei;ZHANG Jian-jun;CAO Yu;NI Jian;HUANG Zhen-hua;ZHAO Ying

Online:2013-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40;)μc-Si1-x Gex∶H薄膜结构性能和光电特性的影响.结果表明,随着He稀释/H2稀释(CHe/H2=He/H2)的增加,薄膜的Ge含量基本保持不变,H含量减少,致密度提高,Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大.CHe/H2=36;时,薄膜光电特性最好.

中图分类号:

O484

李天微;张建军;曹宇;倪牮;黄振华;赵颖. 氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2525-2531.

LI Tian-wei;ZHANG Jian-jun;CAO Yu;NI Jian;HUANG Zhen-hua;ZHAO Ying. Influence of Helium and Hydrogen Mixture Dilution on the Structural Properties of Microcrystalline Silicon-germanium Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2013, 42(12): 2525-2531.

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