同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2520-2524.

同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

宋淑梅;宋玉厚;杨田林;贾绍辉;辛艳青;李延辉

山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海,264209;山东大学(威海)资产与实验室管理处,威海,264209;威海蓝星玻璃股份有限公司,威海,264205

出版日期:2013-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学自主创新基金(2011ZRYQ010,2011ZRXT002)

Effect of Homo-buffer Layer on the Properties of Indium Tin Oxide Thin Films

SONG Shu-mei;SONG Yu-hou;YANG Tian-lin;JIA Shao-hui;XIN Yan-qing;LI Yan-hui

Online:2013-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30;,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5;.

中图分类号:

TN304.2

宋淑梅;宋玉厚;杨田林;贾绍辉;辛艳青;李延辉. 同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2520-2524.

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