高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2568-2571.

高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究

马新志;张佳音;刘欣;温静;高琼;李凯;牟洪臣

哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,哈尔滨150025

出版日期:2013-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51172058,11074060);黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD201112);高等学校博士点基金联合资助项目(20112329110001);黑龙江省研究生创新科研项目(YJSCX2012-186HLJ,YJSCX2012-187HLJ)

Synthesis and Growth Mechanism of High Quality Single Crystal In2Ge2O7 Nanobelts

MA Xin-zhi;ZHANG Jia-yin;LIU Xin;WEN Jing;GAO Qiong;LI Kai;MU Hong-chen

Online:2013-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用CVD法成功合成了高质量单晶In2 Ge2 O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征.结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀.此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论.

中图分类号:

O643

马新志;张佳音;刘欣;温静;高琼;李凯;牟洪臣. 高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2568-2571.

MA Xin-zhi;ZHANG Jia-yin;LIU Xin;WEN Jing;GAO Qiong;LI Kai;MU Hong-chen. Synthesis and Growth Mechanism of High Quality Single Crystal In2Ge2O7 Nanobelts[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2013, 42(12): 2568-2571.

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