硅酸镥晶体本征缺陷和力学性质的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2691-2695.

硅酸镥晶体本征缺陷和力学性质的研究

夏贯芳;刘廷禹;张涵;高肖丽

上海理工大学理学院,上海,200093

发布日期:2021-01-20

Study on the Intrinsic Defect and Mechanical Properties of Lu2SiO5 Crystal

XIA Guan-fang;LIU Ting-yu;ZHANG Han;GAO Xiao-li

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用GULP软件研究了硅酸镥晶体的本征缺陷、力学性质和氧空位的迁移.采用已有的势参数计算得到的结构参数与实验结果吻合的很好.与其他的氧空位相比,Vo5的缺陷形成能最低,因此氧空位主要以Vo5的形式存在.O的弗伦克尔缺陷具有最低的缺陷形成能,所以氧的弗伦克尔缺陷可能是晶体中存在的最主要的本征缺陷.本文还计算了晶体的弹性常数、体积模量、压缩系数、杨氏模量、泊松比率等力学性质.通过计算相邻氧格位之间氧空位的迁移能,发现O1,O2,O3和O4之间的迁移比较容易.

中图分类号:

O77+1

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