Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 733-737.

Ti掺杂6H-SiC电学性质研究

杨昆;杨祥龙;陈秀芳;崔潆心;彭燕;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401);国家自然科学基金(51323002);山东大学自主创新基金(2012ZD047);国家科技重大专项(2012ZX01006)

Study on Electrical Properties of Ti Doped 6H-SiC

YANG Kun;YANG Xiang-long;CHEN Xiu-fang;CUI Ying-xin;PENG Yan;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用物理气相传输方法(PVT)制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理.使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱(LTPL)和非接触电阻率测试对衬底晶型、掺杂元素和电阻率进行了表征.结果表明,Ti元素有效掺入6H-SiC中,Ti掺杂对PVT方法生长的6H-SiC衬底晶型稳定性无影响,Ti掺杂衬底与非故意掺杂衬底均为6H-SiC,热处理后Ti掺杂衬底电阻率达到1010～1011Ω·cm.初步认为Ti掺杂衬底热处理过程中产生的大浓度碳空位Vc是引起Ti掺杂样品电阻率上升的主要原因.

中图分类号:

杨昆;杨祥龙;陈秀芳;崔潆心;彭燕;胡小波;徐现刚. Ti掺杂6H-SiC电学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 733-737.

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