助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2481-2486.

助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究

吕洋洋;许智煌;叶李旺;苏根博;庄欣欣

中国科学院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002;中国科学院大学,北京100049;中国科学院光电材料化学与物理重点实验室,福州,350002

出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院光电材料化学与物理重点实验室资助项目

Growth and Characterization of CuI Crystal by Temperature Reduction Method Using NH4I as Co-solvent

LV Yang-yang;XU Zhi-huang;YE Li-wang;SU Gen-bo;ZHUANG Xin-xin

Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体.在50 ～60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体.采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相).利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70;,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰.霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88cm2 ·V-1 ·s-1.

中图分类号:

吕洋洋;许智煌;叶李旺;苏根博;庄欣欣. 助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2481-2486.

LV Yang-yang;XU Zhi-huang;YE Li-wang;SU Gen-bo;ZHUANG Xin-xin. Growth and Characterization of CuI Crystal by Temperature Reduction Method Using NH4I as Co-solvent[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(10): 2481-2486.

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