氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3108-3112.

氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

刘媛媛;童杨;王雪霞;王昆仑;宋淑梅;杨田林

山东大学空间科学与物理学院,威海,264209

出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学自主创新基金(2011ZRXT002,2011ZRYQ010);山东大学(威海)研究生科研创新基金(yjs12026)

Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors

LIU Yuan-yuan;TONG Yang;WANG Xue-xia;WANG Kun-lun;SONG Shu-mei;YANG Tian-lin

Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT).结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZOTFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型.当氧分压为7.47;时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105.

中图分类号:

TN321+.5

刘媛媛;童杨;王雪霞;王昆仑;宋淑梅;杨田林. 氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3108-3112.

LIU Yuan-yuan;TONG Yang;WANG Xue-xia;WANG Kun-lun;SONG Shu-mei;YANG Tian-lin. Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(12): 3108-3112.

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[1]	杨青海;张自童;陈达贵;陈雄. 介电层修饰并五苯/红荧烯双有源有机薄膜晶体管的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 246-251.
[2]	杨多;黄菲;姚健鹏;李海东;赵鹏飞;孟林. 热硫化纳米黄铁矿的晶体结构特征及其热电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3086-3092.