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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3104-3107.
冯德圣;刘希涛;王静;易志国
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RSS出版日期:2014-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:FENG De-sheng;LIU Xi-tao;WANG Jing;YI Zhi-guo
Online:2014-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 采用坩埚下降法成功生长出厘米尺寸的单斜相BiVO4晶体并利用X射线衍射仪、偏振光显微镜、接触角测量仪和静电计对其结晶形态、表面畴结构、接触角随光照时间的变化以及电阻率随温度的变化行为进行了研究.发现BiVO4晶体接触角随光照时间呈现先减小后增大的变化规律,同时电阻率随温度升高呈现先增大后减小的正温度系数效应.
中图分类号:
冯德圣;刘希涛;王静;易志国. BiVO4晶体的坩埚下降法生长与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3104-3107.
FENG De-sheng;LIU Xi-tao;WANG Jing;YI Zhi-guo. Growth and Properties of BiVO4 Crystal by Bridgman Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(12): 3104-3107.
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