欢迎访问《人工晶体学报》官方网站，今天是
分享到：
人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 857-862.
时彬彬;闵嘉华;梁小燕;张继军;王林军;邢晓兵;段磊;孟华;杨升
E-mail Alert
RSS出版日期:2015-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2015-04-15
Published:2021-01-20
摘要： 用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.
中图分类号:
时彬彬;闵嘉华;梁小燕;张继军;王林军;邢晓兵;段磊;孟华;杨升. 溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 857-862.
| [1] | 周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255. |
| [2] | 张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983. |
| [3] | 任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037. |
| [4] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
| [5] | 王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152. |
| [6] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
| [7] | 胡子钰;张敏;林秀钦;祁英昆;卢俊业;李静雯;郑国宗. 点籽晶定向生长70;DKDP晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1776-1781. |
| [8] | 石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793. |
| [9] | 韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910. |
| [10] | 王明威;曹建新;谢贵明;田生财;陶绍程. 油酸钠改性无水硫酸钙晶须及其机理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1935-1943. |
| [11] | 范天博;韩冬雪;贾晓辉;陈思;姜宇;胡婷婷;郭洪范;李莉;刘云义. NH4+-NH3缓冲体系制备碱式硫酸镁晶须及生长机理[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1721-1727. |
| [12] | 王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404. |
| [13] | 黄巍;何知宇;陈宝军;朱世富;赵北君. 中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1417-1426. |
| [14] | 倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489. |
| [15] | 袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493. |
| 阅读次数 | ||||||
|
全文 |
|
|||||
|
摘要 |
|
|||||
