铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (5): 1156-1160.

铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究

王冰心;徐家跃;金敏;何庆波;房永征

上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418;昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司,苏州,215300

出版日期:2015-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市科委项目(09530500800)

Growth and Characterization of Bi-doped GaAs Crystal by Bridgman Method

WANG Bing-xin;XU Jia-yue;JIN Min;HE Qing-bo;FANG Yong-zheng

Online:2015-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5;Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.

中图分类号:

王冰心;徐家跃;金敏;何庆波;房永征. 铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(5): 1156-1160.

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