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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (8): 2051-2056.

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水浴温度对化学浴沉积制备的CdxZn1-xS薄膜光电性能的影响

焦静;沈鸿烈;李金泽   

  1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京210016
  • 出版日期:2015-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61176062);江苏省工业支撑项目(BE2012103);江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08);江苏高校优势学科建设工程项目

Influence of Bath Temperature on Photoelectric Property of CdxZn1-xS Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition

JIAO Jing;SHEN Hong-lie;LI Jin-ze   

  • Online:2015-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析.结果表明,在65 ~ 85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象.75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 eV,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39;.

关键词: 化学浴沉积;CdxZn1-xS薄膜;光电流响应;光电导

中图分类号: