人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (8): 2046-2050.
林啟维;何超;龙西法
出版日期:
2015-08-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
LIN Qi-wei;HE Chao;LONG Xi-fa
Online:
2015-08-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用高温助熔剂法首次成功生长出了Pb(Yb1/2Nb1/2) O3-Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 (PYZNT)三元铁电单晶,并对晶体组分、介电、铁电和压电性能进行了研究.结果表明,晶体为纯三方钙钛矿相,实际组分为0.68PYN-0.22PZN-0.1PT.分别对晶体的介电,铁电和压电性能进行研究.介电常数ε'和介电损耗tanδ对温度和频率表现出典型的弛豫行为.晶体的居里温度TC为80℃.由于反铁电体PYN含量较高,晶体具有非常大的矫顽场,在100kV/cm的外电场条件下极化还不能反转,因而无法得到饱和的电滞回线.在未极化条件下,测得晶体的压电常数d33为78 pC/N.
中图分类号:
林啟维;何超;龙西法. 三元铁电单晶Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3生长及性能表征[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(8): 2046-2050.
LIN Qi-wei;HE Chao;LONG Xi-fa. Growth and Properties Characterization of Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 Ternary Ferroelectric Single Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(8): 2046-2050.
[1] | 周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255. |
[2] | 张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983. |
[3] | 任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037. |
[4] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
[5] | 王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152. |
[6] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[7] | 胡子钰;张敏;林秀钦;祁英昆;卢俊业;李静雯;郑国宗. 点籽晶定向生长70;DKDP晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1776-1781. |
[8] | 石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793. |
[9] | 韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910. |
[10] | 王明威;曹建新;谢贵明;田生财;陶绍程. 油酸钠改性无水硫酸钙晶须及其机理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1935-1943. |
[11] | 范天博;韩冬雪;贾晓辉;陈思;姜宇;胡婷婷;郭洪范;李莉;刘云义. NH4+-NH3缓冲体系制备碱式硫酸镁晶须及生长机理[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1721-1727. |
[12] | 王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404. |
[13] | 黄巍;何知宇;陈宝军;朱世富;赵北君. 中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1417-1426. |
[14] | 倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489. |
[15] | 袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||