勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 110-114.

勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析

罗玉峰;刘杰;张发云;饶森林;胡云

南昌大学机电工程学院,南昌330031;新余学院新能源科学与工程学院,新余338004;江西省高等学校硅材料重点实验室,新余338004;南昌大学机电工程学院,南昌,330031;新余学院新能源科学与工程学院,新余338004;江西省高等学校硅材料重点实验室,新余338004

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51164033);江西省自然科学基金(20132BAB206021);江西省高等学校科技落地计划项目(KJLD12050);江西省教育厅科学技术研究项目(11739,12748)

Numerical Simulation and Analysis of Directional Solidification of Multi-crystalline Silicon under Cusp-shaped Magnetic Field

LUO Yu-feng;LIU Jie;ZHANG Fa-yun;RAO Sen-lin;HU Yun

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用基于有限元的软件COMSOL Muhiphysics对多晶硅定向凝固过程进行了一系列二维数值模拟,研究了勾形磁场(CMF)对多晶硅定向凝固过程的影响.模拟分别在线圈电流设为0A、10 A、20A、30 A和40A的情况下进行.结果表明:CMF能有效抑制熔体的对流,特别是对坩埚侧壁附近的熔体.CMF可以影响结晶时的固液界面,使结晶初期凸形结晶界面变得平滑.电流从0A逐渐均匀增加到40A时,施加于熔体上的磁场也逐渐增加,熔体的最高流速逐渐减小,而且最高流速的减小量呈现出先增加后减小的趋势.

中图分类号:

罗玉峰;刘杰;张发云;饶森林;胡云. 勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 110-114.

LUO Yu-feng;LIU Jie;ZHANG Fa-yun;RAO Sen-lin;HU Yun. Numerical Simulation and Analysis of Directional Solidification of Multi-crystalline Silicon under Cusp-shaped Magnetic Field[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(1): 110-114.

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